这两款器件采用最小延迟快速导通设计和创新的自适应关断技术，无需增加外部组件即可最大限度延长同步整流MOSFET管的导通时间，并最大程度降低电路中的寄生电感效应，从而使电路系统能效大幅改善，物料清单成本明显降低。
 
SRK1000A和SRK1000B两款产品都能用于各种反激式控制器，包括高达300kHz固定频率的准谐振(QR)和CCM/DCM混合模式反激式拓扑，简化系统设计。两款器件都可以通过选择电阻来设定导通(TON)后的消隐时间，以防止噪声引起杂散问题。SRK1000A关断(TOFF)后消隐时间固定在2μs，SRK1000B是3μs。

这两款器件均有轻载低功耗省电模式，当同步整流不再需要时，控制器便进入低功耗睡眠模式。实现方法是检测原边控制器是否进入突发模式或同步整流MOSFET管的导通时间是否低于TON最小预设值。控制器低功耗模式静态电流仅为160μA。
 
SRK1000A和SRK1000B适用于最高19V的输出电压，在CCM模式下能够将稳压输出保持至2V，支持4.5V-32V宽压电源，漏-源极电压额定100V。输出灌电流高达1A，拉电流最高0.6A，用于控制外部N沟道同步整流MOSFET管的栅极。

SRK1000A和SRK1000B均采用2.9mm x 2.8mm 6引脚SOT23-6L封装。